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SI7456DP-T1

MOSFET

更新日期：2024-04-01 00:04:00

SI7456DP-T1

MOSFET

产品简介：MOSFET 100V 9.3A 5.2W

SI7456DP-T1 供应商

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SI7456DP-T1 中文资料属性参数

  • 制造商：Vishay
  • 产品种类：MOSFET
  • 晶体管极性：N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压：100 V
  • 闸/源击穿电压：+/- 20 V
  • 漏极连续电流：9.3 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）：25 mOhms
  • 配置：Single
  • 最大工作温度：+ 150 C
  • 安装风格：SMD/SMT
  • 封装 / 箱体：PowerPAK SO-8
  • 封装：Reel
  • 下降时间：10 ns
  • 最小工作温度：- 55 C
  • 功率耗散：5.2 W
  • 上升时间：10 ns
  • 工厂包装数量：3000
  • 商标名：TrenchFET
  • 典型关闭延迟时间：46 ns

SI7456DP-T1 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
SI7456DP-T1

N-Channel 100-V (D-S) MOSFET

 4 Pages页,62K 查看
SI7456DP-T1-E3

N CH MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:9.3A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.025ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2V; Power Dissipation Pd:5.2W ;RoHS Compliant: Yes

5页,92K 查看

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