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SIHB24N80AE-GE3 的相关信息

信息仅供参考，实际以PDF为准

  • 现有数量：34现货
  • 价格：1 : ￥28.30000管件
  • 系列：-
  • 包装：管件
  • 产品状态：在售
  • FET 类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：800 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：21A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：-
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：184 毫欧 @ 10A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：89 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）：±30V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1836 pF @ 100 V
  • FET 功能：-
  • 功率耗散（最大值）：208W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 供应商器件封装：D2PAK（TO-263）
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