SIHB24N80AE-GE3
参考价格:0.0000搜索次数:0现货供应商:2 家现货库存总量:43000
- 现有数量 :34现货
- 价格 :1<!-- --> : ￥28.30000管件
- 系列 :-
- 包装 :管件
- 产品状态 :在售
- FET 类型 :N 通道
- 技术 :MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss） :800 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :21A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） :-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） :184 毫欧 @ 10A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） :4V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） :89 nC @ 10 V
- Vgs（最大值） :±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） :1836 pF @ 100 V
- FET 功能 :-
- 功率耗散（最大值） :208W（Tc）
- 工作温度 :-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型 :表面贴装型
- 供应商器件封装 :D2PAK（TO-263）
- 封装/外壳 :TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
更多产品属性
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| 供应商 | 产品型号 | 品牌 | 库存数量 | 批号 | 封装 | 说明 | 询价 |
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