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SI4447DY-T1-GE3 的相关信息

信息仅供参考，实际以PDF为准

  • 数据列表：SI4447DY
  • 标准包装：2,500
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：TrenchFET®
  • FET 型：MOSFET P 通道，金属氧化物
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：40V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：3.3A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：72 毫欧 @ 4.5A，15V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：2.2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：14nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：805pF @ 20V
  • 功率 - 最大：1.1W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
  • 供应商设备封装：8-SOICN
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：SI4447DY-T1-GE3TR
  • 公司
  • 型号
  • 品牌
  • 封装/批号
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