SI4447DY-T1-GE3
参考价格:0.0000搜索次数:0现货供应商:1 家现货库存总量:39000
- 数据列表 :SI4447DY
- 标准包装 :2,500
- 类别 :分离式半导体产品
- 家庭 :FET - 单
- 系列 :TrenchFET®
- FET 型 :MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET 特点 :逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss) :40V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C :3.3A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C :72 毫欧 @ 4.5A，15V
- Id 时的 Vgs(th)（最大） :2.2V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs :14nC @ 4.5V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds :805pF @ 20V
- 功率 - 最大 :1.1W
- 安装类型 :表面贴装
- 封装/外壳 :8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装 :8-SOICN
- 包装 :带卷 (TR)
- 其它名称 :SI4447DY-T1-GE3TR
更多产品属性
综合指数
推荐供应商
| 供应商 | 产品型号 | 品牌 | 库存数量 | 批号 | 封装 | 说明 | 询价 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SI4447DY-T1-GE3 | VISHAY | 20000 | 22+ | SOIC-8 | 原厂渠道，现货，支持实单 |