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SI4431CDY-T1-GE3 的相关信息

信息仅供参考，实际以PDF为准

  • 制造商：Vishay
  • 产品种类：MOSFET
  • 晶体管极性：P-Channel
  • 汲极/源极击穿电压：30 V
  • 闸/源击穿电压：+/- 20 V
  • 漏极连续电流：7 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）：32 mOhms
  • 配置：Single Quad Drain Triple Source
  • 最大工作温度：+ 150 C
  • 安装风格：SMD/SMT
  • 封装 / 箱体：SOIC-8 Narrow
  • 封装：Reel
  • 下降时间：9 ns, 11 ns
  • 最小工作温度：- 55 C
  • 功率耗散：2500 mW
  • 上升时间：13 ns, 89 ns
  • 工厂包装数量：2500
  • 典型关闭延迟时间：23 ns, 22 ns
  • 零件号别名：SI4431CDY-GE3
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