SI4431CDY-T1-GE3
参考价格:0.0000搜索次数:0现货供应商:1 家现货库存总量:39000
- 制造商 :Vishay
- 产品种类 :MOSFET
- 晶体管极性 :P-Channel
- 汲极/源极击穿电压 :30 V
- 闸/源击穿电压 :+/- 20 V
- 漏极连续电流 :7 A
- 电阻汲极/源极 RDS（导通） :32 mOhms
- 配置 :Single Quad Drain Triple Source
- 最大工作温度 :+ 150 C
- 安装风格 :SMD/SMT
- 封装 / 箱体 :SOIC-8 Narrow
- 封装 :Reel
- 下降时间 :9 ns, 11 ns
- 最小工作温度 :- 55 C
- 功率耗散 :2500 mW
- 上升时间 :13 ns, 89 ns
- 工厂包装数量 :2500
- 典型关闭延迟时间 :23 ns, 22 ns
- 零件号别名 :SI4431CDY-GE3
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| 供应商 | 产品型号 | 品牌 | 库存数量 | 批号 | 封装 | 说明 | 询价 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SI4431CDY-T1-GE3 | VISHAY | 10000 | 22+ | SOIC-8 | 原厂渠道，现货，支持实单 |