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IXFN32N120 的相关信息

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  • 标准包装：10
  • 类别：半导体模块
  • 家庭：FET
  • 系列：HiPerFET™
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)：1200V（1.2kV）
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：32A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：350 毫欧 @ 500mA，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：5V @ 8mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：400nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：15900pF @ 25V
  • 功率 - 最大：780W
  • 安装类型：底座安装
  • 封装/外壳：SOT-227-4，miniBLOC
  • 供应商设备封装：SOT-227B
  • 包装：管件
  • 公司
  • 型号
  • 品牌
  • 封装/批号
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