IXFN32N120IXYS
参考价格:暂无参考价搜索次数:0现货供应商:0 家现货库存总量:0
- 标准包装 :10
- 类别 :半导体模块
- 家庭 :FET
- 系列 :HiPerFET™
- FET 型 :MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 特点 :标准型
- 漏极至源极电压(Vdss) :1200V（1.2kV）
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C :32A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C :350 毫欧 @ 500mA，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大） :5V @ 8mA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs :400nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds :15900pF @ 25V
- 功率 - 最大 :780W
- 安装类型 :底座安装
- 封装/外壳 :SOT-227-4，miniBLOC
- 供应商设备封装 :SOT-227B
- 包装 :管件
更多产品属性