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FF600R12KE3 的相关信息
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- 制造商：Infineon
- 产品种类：IGBT 模块
- 产品：IGBT Silicon Modules
- 配置：Dual
- 集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V
- 集电极—射极饱和电压：1.7 V
- 在25 C的连续集电极电流：850 A
- 栅极—射极漏泄电流：400 nA
- 功率耗散：2.8 KW
- 最大工作温度：+ 125 C
- 封装 / 箱体：IHM130
- 栅极/发射极最大电压：+/- 20 V
- 最小工作温度：- 40 C
- 安装风格：SMD/SMT
- 工厂包装数量：8
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
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- 日期
- 说明
- 询价
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FF600R12KE3
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