FF600R12KE3
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- 制造商 :Infineon
- 产品种类 :IGBT 模块
- 产品 :IGBT Silicon Modules
- 配置 :Dual
- 集电极—发射极最大电压 VCEO :1200 V
- 集电极—射极饱和电压 :1.7 V
- 在25 C的连续集电极电流 :850 A
- 栅极—射极漏泄电流 :400 nA
- 功率耗散 :2.8 KW
- 最大工作温度 :+ 125 C
- 封装 / 箱体 :IHM130
- 栅极/发射极最大电压 :+/- 20 V
- 最小工作温度 :- 40 C
- 安装风格 :SMD/SMT
- 工厂包装数量 :8
更多产品属性
综合指数
周搜索指数
| 序号 | 日期 | 搜索量 | 搜索量变化 | 搜索量变化幅度 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 2024-12-16-2024-12-22 | 1 |
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| 2 | 2024-09-23-2024-09-29 | 1 |
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| 3 | 2024-06-24-2024-06-30 | 2 |
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| 4 | 2024-05-06-2024-05-12 | 2 |
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| 5 | 2024-04-29-2024-05-05 | 2 |
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| 6 | 2024-04-22-2024-04-28 | 2 |
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| 7 | 2024-04-08-2024-04-14 | 2 |
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| 8 | 2023-11-27-2023-12-03 | 12 |
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| 9 | 2023-10-23-2023-10-29 | 13 |
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| 13 | 2023-07-10-2023-07-16 | 11 |
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| 14 | 2023-05-15-2023-05-21 | 11 |
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| 15 | 2023-01-02-2023-01-08 | 11 |
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