STF9NM60N 的相关信息
信息仅供参考,实际以PDF为准
- 其它有关文件:STF9NM60N View All Specifications
- 标准包装:50
- 类别:分离式半导体产品
- 家庭:FET - 单
- 系列:MDmesh™
- FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET 特点:标准型
- 漏极至源极电压(Vdss):600V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:6.5A
- 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:745 毫欧 @ 3.25A,10V
- Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs:17.4nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds:452pF @ 50V
- 功率 - 最大:25W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3 整包
- 供应商设备封装:TO-220FP
- 包装:管件
- 其它名称:497-12591-5STF9NM60N-ND
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
-
ST
-
-
最新批号 -
6996
-
上海市
-
-