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STF9NM60N

STF9NM60NSTMicroelectronics

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  • 其它有关文件 :STF9NM60N View All Specifications
  • 标准包装 :50
  • 类别 :分离式半导体产品
  • 家庭 :FET - 单
  • 系列 :MDmesh™
  • FET 型 :MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点 :标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss) :600V
STF9NM60N(PDF下载)
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C :6.5A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C :745 毫欧 @ 3.25A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大) :4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs :17.4nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds :452pF @ 50V
  • 功率 - 最大 :25W
  • 安装类型 :通孔
  • 封装/外壳 :TO-220-3 整包
  • 供应商设备封装 :TO-220FP
  • 包装 :管件
  • 其它名称 :497-12591-5STF9NM60N-ND
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