SIHA186N60EF-GE3 的相关信息
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- 现有数量:1,900现货
- 价格:1 : ¥22.74000管件
- 系列:EF
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8.4A(Tc)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):193 毫欧 @ 9.5A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值):32 nC @ 10 V
- Vgs(最大值):±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1081 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):156W(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220 整包
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
-
SIHA186N60EF-GE3
原装现货 -
VISHAY
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TO-220F
22+ -
2000
-
深圳
-
01-08
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原厂渠道,现货,支持实单
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VISHAY/威世
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SMD
22+ -
2000
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上海市
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原装进口
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VISHAY/威世
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22+ -
2000
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上海市
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原装,假一罚十