SIHA186N60EF-GE3
参考价格:0.0000搜索次数:0现货供应商:1 家现货库存总量:2000
- 现有数量 :1,900现货
- 价格 :1<!-- --> : ￥22.74000管件
- 系列 :EF
- 包装 :管件
- 产品状态 :在售
- FET 类型 :N 通道
- 技术 :MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss） :600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :8.4A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） :10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） :193 毫欧 @ 9.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） :5V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） :32 nC @ 10 V
- Vgs（最大值） :±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） :1081 pF @ 100 V
- FET 功能 :-
- 功率耗散（最大值） :156W（Tc）
- 工作温度 :-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型 :通孔
- 供应商器件封装 :TO-220 整包
- 封装/外壳 :TO-220-3 整包
更多产品属性
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| 供应商 | 产品型号 | 品牌 | 库存数量 | 批号 | 封装 | 说明 | 询价 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SIHA186N60EF-GE3 | VISHAY | 2000 | 22+ | TO-220F | 原厂渠道，现货，支持实单 |