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PTF180101M V1
RF FET- 封装：10-TFSOP，10-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
更新日期：2024-04-01 00:04:00
PTF180101M V1
RF FET产品简介：IC FET RF LDMOS 10W TSSOP-10
- 封装：10-TFSOP，10-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
PTF180101M V1 中文资料属性参数
- 数据列表：PTF180101M
- 标准包装：500
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：RF FET
- 系列：GOLDMOS®
- 晶体管类型：LDMOS
- 频率：1.99GHz
- 增益：16.5dB
- 电压 - 测试：28V
- 额定电流：1µA
- 噪音数据：-
- 电流 - 测试：180mA
- 功率 - 输出：10W
- 电压 - 额定：65V
- 封装/外壳：10-TFSOP，10-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）
- 供应商设备封装：PG-RFP-10
- 包装：带卷 (TR)
- 其它名称：PTF180101MV1XTSP000076951
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