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BF862,215

NXP Semiconductors RF FET
  • 封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：带卷 (TR)

更新日期：2024-04-01

BF862,215

NXP Semiconductors RF FET

产品简介：JFET N-CHAN 20V SOT-23

  • 封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：带卷 (TR)

BF862,215 供应商

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BF862,215 中文资料属性参数

  • 标准包装：3,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：RF FET
  • 系列：-
  • 晶体管类型：N 通道 JFET
  • 频率：-
  • 增益：-
  • 电压 - 测试：-
  • 额定电流：25mA
  • 噪音数据：-
  • 电流 - 测试：-
  • 功率 - 输出：-
  • 电压 - 额定：20V
  • 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • 供应商设备封装：TO-236AB
  • 包装：带卷 (TR)

BF862,215 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
BF862,215

JET, N CH, 20V, SOT-23; Transistor Type:JFET; Breakdown Voltage Vbr:-20V; Zero Gate Voltage Drain Current Idss:10mA to 25mA; Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max:-1.2V; Power Dissipation Pd:300mW; Operating Temperature Range:-65°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-23; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (18-Jun-2010); Current Idss Max:25mA; Current Idss Min:10mA; Package / Case:SOT-23; Termination Type:SMD; Transistor Polarity:N Channel

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