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PBSS5160DS,115

NXP Semiconductors 晶体管(BJT) - 阵列
  • 封装：SC-74，SOT-457
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：Digi-Reel®
  • 参考价格：$0.1715-$0.48

更新日期：2024-04-01

PBSS5160DS,115

NXP Semiconductors 晶体管(BJT) - 阵列

产品简介：TRANS PNP DUAL 60V 1A SC-74

  • 封装：SC-74，SOT-457
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：Digi-Reel®
  • 参考价格：$0.1715-$0.48

PBSS5160DS,115 供应商

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PBSS5160DS,115 中文资料属性参数

  • 特色产品：NXP - I2C Interface
  • 标准包装：1
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：晶体管(BJT) - 阵列
  • 系列：-
  • 晶体管类型：2 PNP（双）
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：770mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：60V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：330mV @ 100mA，1A
  • 电流 - 集电极截止（最大）：100nA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：150 @ 500mA，5V
  • 功率 - 最大：420mW
  • 频率 - 转换：185MHz
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：SC-74，SOT-457
  • 供应商设备封装：6-TSOP
  • 包装：Digi-Reel®
  • 其它名称：568-4351-6

PBSS5160DS,115 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
PBSS5160DS,115

TRANS PNP DUAL 60V 1A SC-74; Transistor Polarity:Dual PNP; Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:-60V; Typ Gain Bandwidth ft:185MHz; Operating Temperature Range:-65°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-457; SVHC:No SVHC (18-Jun-2010); Case Style:SOT-457; Max Current Ic Continuous a:-100mA; Max Voltage Vce Sat:-165mV; Min Hfe:200; Power Dissipation:420mW; Termination Type:SMD; Transistor Type:Low Saturation

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