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PBSS4160DPN,115

NXP Semiconductors 晶体管(BJT) - 阵列
  • 封装：SC-74，SOT-457
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：带卷 (TR)

更新日期：2024-04-01

PBSS4160DPN,115

NXP Semiconductors 晶体管(BJT) - 阵列

产品简介：TRANS NPN/PNP 60V LOW SAT SC-74

  • 封装：SC-74，SOT-457
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：带卷 (TR)

PBSS4160DPN,115 供应商

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PBSS4160DPN,115 中文资料属性参数

  • 特色产品：NXP - I2C Interface
  • 标准包装：3,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：晶体管(BJT) - 阵列
  • 系列：-
  • 晶体管类型：NPN，PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：870mA，770mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：60V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：250mV @ 100mA，1A / 330mV @ 100mA，1A
  • 电流 - 集电极截止（最大）：100nA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：200 @ 500mA，5V / 150 @ 500mA，5V
  • 功率 - 最大：420mW
  • 频率 - 转换：220MHz，185MHz
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：SC-74，SOT-457
  • 供应商设备封装：6-TSOP
  • 包装：带卷 (TR)

PBSS4160DPN,115 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
PBSS4160DPN,115

TRANS NPN/PNP 60V 1A SC-74; Transistor Polarity:NPN / PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:60V; Power Dissipation Pd:290mW; DC Collector Current:1A; DC Current Gain hFE:500; Operating Temperature Range:-65°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-457; No. of Pins:6; SVHC:No SVHC (18-Jun-2010); Collector Emitter Voltage Vces:110mV; Current Ic Continuous a Max:100mA; Gain Bandwidth ft Typ:220MHz; Hfe Min:250; Package / Case:SOT-457; Power Dissipation Pd:420mW; Termination Type:SMD; Transistor Type:Low Saturation (BISS)

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