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NESG2107M33-A

CEL RF 晶体管 (BJT)
  • 封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：散装

更新日期：2024-04-01

NESG2107M33-A

CEL RF 晶体管 (BJT)

产品简介：TRANS NPN 2GHZ M33

  • 封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：散装

NESG2107M33-A 供应商

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NESG2107M33-A 中文资料属性参数

  • 标准包装：1
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：RF 晶体管 (BJT)
  • 系列：-
  • 晶体管类型：NPN
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：5V
  • 频率 - 转换：10GHz
  • 噪声系数（dB典型值@频率）：0.9dB ~ 1.5dB @ 2GHz
  • 增益：7dB ~ 10dB
  • 功率 - 最大：130mW
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：140 @ 5mA，1V
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：100mA
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • 供应商设备封装：3-SuperMiniMold
  • 包装：散装

NESG2107M33-A 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
NESG2107M33-A

NECs NPN SILICON TRANSISTOR

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