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BFG480W,115

NXP Semiconductors RF 晶体管 (BJT)
  • 封装：SC-82A，SOT-343
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：带卷 (TR)

更新日期：2024-04-01

BFG480W,115

NXP Semiconductors RF 晶体管 (BJT)

产品简介：TRANS NPN 4.5V 21GHZ SOT343R

  • 封装：SC-82A，SOT-343
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：带卷 (TR)

BFG480W,115 供应商

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BFG480W,115 中文资料属性参数

  • 标准包装：3,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：RF 晶体管 (BJT)
  • 系列：-
  • 晶体管类型：NPN
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：4.5V
  • 频率 - 转换：21GHz
  • 噪声系数（dB典型值@频率）：1.2dB ~ 1.8dB @ 900MHz ~ 2GHz
  • 增益：16dB
  • 功率 - 最大：360mW
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：40 @ 80mA，2V
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：250mA
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：SC-82A，SOT-343
  • 供应商设备封装：CMPAK-4
  • 包装：带卷 (TR)

BFG480W,115 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
BFG480W,115

TRANS NPN 4.5V 21GHZ SOT343R; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:4.5V; Power Dissipation Pd:360mW; DC Collector Current:80mA; DC Current Gain hFE:60; Operating Temperature Range:-65°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-343R; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (18-Jun-2010); Current Ic Continuous a Max:80mA; Gain Bandwidth ft Typ:21GHz; Hfe Min:40; Package / Case:SOT-343R; Power Dissipation Pd:360mW; Termination Type:SMD; Transistor Type:RF Wideband

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