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- 封装：S- 迷你型 4P
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
更新日期：2024-04-01 00:04:00
产品简介：IC AMP HBT GAAS LN 4-SMINI
- 封装：S- 迷你型 4P
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
NE52418-T1-A 供应商
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- 说明
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NEC
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SOT343
2024 -
91752
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上海市
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上海原装现货库存，欢迎咨询合作
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CEL
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4个超微型模具
18+ -
400
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上海市
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只做原装正品假一赔十为客户做到零风险
NE52418-T1-A 中文资料属性参数
- 标准包装：3,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：RF 晶体管 (BJT)
- 系列：-
- 晶体管类型：NPN
- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：5V
- 频率 - 转换：-
- 噪声系数（dB典型值@频率）：1dB ~ 1.5dB @ 2GHz
- 增益：14dB ~ 16dB
- 功率 - 最大：150mW
- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：100 @ 3mA，2V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：40mA
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：S- 迷你型 4P
- 供应商设备封装：-
- 包装：带卷 (TR)
NE52418-T1-A 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 NE52418-T1-A
|
NECs L TO S BAND LOW NOISE AMPLIFIER NPN GaAs HBT |
6 Pages页,197K | 查看 |
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