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更新日期：2024-04-01
MWI100-12E8 中文资料属性参数
- 标准包装：5
- 类别：半导体模块
- 家庭：IGBT
- 系列：-
- IGBT 类型：NPT
- 配置：三相反相器
- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1200V
- Vge, Ic时的最大Vce（开）：2.5V @ 15V，100A
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：165A
- 电流 - 集电极截止（最大）：1.4mA
- Vce 时的输入电容 (Cies)：7.4nF @ 25V
- 功率 - 最大：640W
- 输入：标准型
- NTC 热敏电阻：无
- 安装类型：底座安装
- 封装/外壳：E3
- 供应商设备封装：E3
MWI100-12E8 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 MWI100-12E8
|
IGBT Modules |
2 Pages页,72K | 查看 |
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