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更新日期：2024-04-01
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MUBW25-12T7 中文资料属性参数
- 标准包装：6
- 类别：半导体模块
- 家庭：IGBT
- 系列：-
- IGBT 类型：沟道
- 配置：三相反相器，带制动器
- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1200V
- Vge, Ic时的最大Vce（开）：2.15V @ 15V，25A
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：45A
- 电流 - 集电极截止（最大）：2.7mA
- Vce 时的输入电容 (Cies)：1.8nF @ 25V
- 功率 - 最大：170W
- 输入：三相桥式整流器
- NTC 热敏电阻：是
- 安装类型：底座安装
- 封装/外壳：E2
- 供应商设备封装：E2
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