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MRF6S18060NBR1

Freescale Semiconductor RF FET
  • 封装：TO-272BB
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：带卷 (TR)

更新日期：2024-04-01 00:04:00

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MRF6S18060NBR1

Freescale Semiconductor RF FET

产品简介：MOSFET RF N-CH 26V 60W TO272-4

  • 封装：TO-272BB
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：带卷 (TR)

MRF6S18060NBR1 中文资料属性参数

  • 产品变化通告：RF Devices Discontinuation 01/Jul/2010
  • 标准包装：500
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：RF FET
  • 系列：-
  • 晶体管类型：LDMOS
  • 频率：1.81GHz ~ 1.88GHz
  • 增益：15dB
  • 电压 - 测试：26V
  • 额定电流：10µA
  • 噪音数据：-
  • 电流 - 测试：450mA
  • 功率 - 输出：25W
  • 电压 - 额定：68V
  • 封装/外壳：TO-272BB
  • 供应商设备封装：TO-272 WB-4
  • 包装：带卷 (TR)

MRF6S18060NBR1 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
MRF6S18060NBR1

RF Power Field Effect Transistors

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