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MRF21010LSR1

Freescale Semiconductor RF FET
  • 封装：NI-360S
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：带卷 (TR)

更新日期：2024-04-01 00:04:00

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MRF21010LSR1

Freescale Semiconductor RF FET

产品简介：IC MOSFET RF N-CHAN NI-360S

  • 封装：NI-360S
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：带卷 (TR)

MRF21010LSR1 中文资料属性参数

  • 产品变化通告：RF Devices Discontinuation 01/Jul/2010
  • 标准包装：500
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：RF FET
  • 系列：-
  • 晶体管类型：LDMOS
  • 频率：2.11GHz
  • 增益：13.5dB
  • 电压 - 测试：28V
  • 额定电流：10µA
  • 噪音数据：-
  • 电流 - 测试：100mA
  • 功率 - 输出：11W
  • 电压 - 额定：65V
  • 封装/外壳：NI-360S
  • 供应商设备封装：NI-360 短引线
  • 包装：带卷 (TR)

MRF21010LSR1 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
MRF21010LSR1

RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

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