- 封装:NI-400
- RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式:带卷 (TR)
更新日期:2024-04-01 00:04:00

产品简介:IC MOSFET RF N-CHAN NI-400
- 封装:NI-400
- RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式:带卷 (TR)
MRF19045LR3 中文资料属性参数
- 标准包装:250
- 类别:分离式半导体产品
- 家庭:RF FET
- 系列:-
- 晶体管类型:LDMOS
- 频率:1.93GHz
- 增益:14.5dB
- 电压 - 测试:26V
- 额定电流:10µA
- 噪音数据:-
- 电流 - 测试:550mA
- 功率 - 输出:45W
- 电压 - 额定:65V
- 封装/外壳:NI-400
- 供应商设备封装:NI-400-240
- 包装:带卷 (TR)
MRF19045LR3 数据手册
数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
---|---|---|---|
![]() |
RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
12 Pages页,570K | 查看 |
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