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- 封装：SC-70，SOT-323
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
- 参考价格：$0.0145-$0.0278
更新日期：2024-04-01 00:04:00
产品简介：TRANS GP SS NPN 40V SOT323
- 封装：SC-70，SOT-323
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
- 参考价格：$0.0145-$0.0278
MMBT3904WT1G 供应商
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SC-70 (SOT-323) 3 LEAD
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9845
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MMBT3904WT1G 中文资料属性参数
- 标准包装：3,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：晶体管(BJT) - 单路
- 系列：-
- 晶体管类型：NPN
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：200mA
- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：40V
- Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：300mV @ 5mA，50mA
- 电流 - 集电极截止（最大）：-
- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：100 @ 10mA，1V
- 功率 - 最大：150mW
- 频率 - 转换：300MHz
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：SC-70，SOT-323
- 供应商设备封装：SC-70-3（SOT323）
- 包装：带卷 (TR)
- 其它名称：MMBT3904WT1GOSMMBT3904WT1GOS-NDMMBT3904WT1GOSTR
MMBT3904WT1G 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 MMBT3904WT1G
|
TRANSISTOR, NPN, SOT-323; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:40V; Power Dissipation Pd:150mW; DC Collector Current:200mA; DC Current Gain hFE:300; Transistor Case Style:SOT-323; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Collector Emitter Voltage Vces:200mV; Complementary Device:MMBT3906WT1G; Continuous Collector Current Ic Max:200mA; Current Ic Continuous a Max:50mA; Current Ic hFE:100mA; Gain Bandwidth ft Typ:300MHz; Hfe Min:30; Package / Case:SOT-323; Pin Configuration:B(1), C(3), E(2); Power Dissipation Pd:150mW; Power Dissipation Ptot Max:150mW; Termination Type:S... |
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