MMBT3904WT1G 的相关信息
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- 标准包装:3,000
- 类别:分离式半导体产品
- 家庭:晶体管(BJT) - 单路
- 系列:-
- 晶体管类型:NPN
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大):200mA
- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):40V
- Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):300mV @ 5mA,50mA
- 电流 - 集电极截止(最大):-
- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):100 @ 10mA,1V
- 功率 - 最大:150mW
- 频率 - 转换:300MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SC-70,SOT-323
- 供应商设备封装:SC-70-3(SOT323)
- 包装:带卷 (TR)
- 其它名称:MMBT3904WT1GOSMMBT3904WT1GOS-NDMMBT3904WT1GOSTR
- 公司
- 型号
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- 封装/批号
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