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MIW50N65H-BP
单 IGBT更新日期：2024-04-01 00:04:00
MIW50N65H-BP
单 IGBT产品简介：IGBT
MIW50N65H-BP 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货
- 价格：停产
- 系列：-
- 包装：散装
- 产品状态：停产
- IGBT 类型：沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：650 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：80 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm)：200 A
- 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)（最大值）：1.9V @ 15V，50A
- 功率 - 最大值：250 W
- 开关能量：1.59mJ（开），1.34mJ（关）
- 输入类型：标准
- 栅极电荷：186 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值：69ns/404ns
- 测试条件：400V，50A，10 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr)：88 ns
- 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-247-3
- 供应商器件封装：TO-247-3
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