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IXYP20N65C3D1M
单 IGBT更新日期：2024-04-01 00:04:00
IXYP20N65C3D1M
单 IGBT产品简介：IGBT 650V 18A 50W TO220
IXYP20N65C3D1M 供应商
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- 封装/批号
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IXYS
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标准封装
24+ -
8800
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苏州
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原厂授权代理商主营IGBT模块 可控硅模块 二极管 晶
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IXYS
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TO-220-3
23+ -
4000
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上海市
-
-
IXYP20N65C3D1M 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货查看交期
- 价格：300 : ￥21.31423管件
- 系列：GenX3?, XPT?
- 包装：管件
- 产品状态：在售
- IGBT 类型：PT
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：650 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：18 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm)：105 A
- 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)（最大值）：2.5V @ 15V，20A
- 功率 - 最大值：50 W
- 开关能量：430μJ（开），350μJ（关）
- 输入类型：标准
- 栅极电荷：30 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值：19ns/80ns
- 测试条件：400V，20A，20 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr)：30 ns
- 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-220-3
- 供应商器件封装：TO-220-3
IXYP20N65C3D1M 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 IXYP20N65C3D1M
|
IGBT PT 650V 18A 50W Through Hole TO-220AB |
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