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IXYP10N65C3
单 IGBT更新日期：2024-04-01 00:04:00
IXYP10N65C3
单 IGBT产品简介：IGBT 650V 30A 160W TO220
IXYP10N65C3 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
-
IXYS
-
标准封装
24+ -
8800
-
苏州
-
-
-
原厂授权代理商主营IGBT模块 可控硅模块 二极管 晶
-
IXYS
-
TO-220-3
23+ -
4000
-
上海市
-
-
IXYP10N65C3 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货
- 价格：在售
- 系列：GenX3?, XPT?
- 包装：管件
- 产品状态：在售
- IGBT 类型：PT
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：650 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：30 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm)：54 A
- 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)（最大值）：2.5V @ 15V，10A
- 功率 - 最大值：160 W
- 开关能量：240μJ（开），110μJ（关）
- 输入类型：标准
- 栅极电荷：18 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值：20ns/77ns
- 测试条件：400V，10A，50 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr)：-
- 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-220-3
- 供应商器件封装：TO-220-3
IXYP10N65C3 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 IXYP10N65C3
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IGBT PT 650V 30A 160W Through Hole TO-220AB |
6页,207K | 查看 |
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IXYP10N65C3D1
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IGBT PT 650V 30A 160W Through Hole TO-220 |
7页,210K | 查看 |
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