更新日期:2024-04-01
IXYN82N120C3H1 供应商
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isc/固电半导体
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SOT-227
2024+ -
1000
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无锡
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国产品牌isc,33年国产工厂
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IXYS
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23+ -
8000
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上海市
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原厂原装假一赔十
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IXYS
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标准封装
24+ -
8800
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苏州
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原厂授权代理商主营IGBT模块 可控硅模块 二极管 晶
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IXYS
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SOT-227B
18+ -
500
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上海市
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只做原装正品假一赔十为客户做到零风险
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SOT-227
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22+
12000 -
0
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上海市
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IXYS
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MODULE
23+ -
1000
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上海市
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全新原装现货
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IXFN
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标准封装
22+ -
6055
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上海市
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专业全新原装进口正品 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断
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IXFN
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标准封装
22+ -
8888
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上海市
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全新原装进口正品IGBT模块 功率模块现货直销质保一
IXYN82N120C3H1 中文资料属性参数
- 标准包装:10
- 类别:半导体模块
- 家庭:IGBT
- 系列:XPT™, GenX3™
- IGBT 类型:-
- 配置:单一
- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V
- Vge, Ic时的最大Vce(开):3.2V @ 15V,82A
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大):105A
- 电流 - 集电极截止(最大):50µA
- Vce 时的输入电容 (Cies):4060pF @ 25V
- 功率 - 最大:500W
- 输入:标准型
- NTC 热敏电阻:无
- 安装类型:底座安装
- 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC
- 供应商设备封装:SOT-227B
IXYN82N120C3H1 数据手册
数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
---|---|---|---|
![]() |
IGBT MODULE 1200V 105A SOT227B |
7页,187K | 查看 |
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