更新日期:2024-04-01
IXTN30N100L 供应商
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IXTN30N100L
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IXTN30N100L 中文资料属性参数
- 标准包装:10
- 类别:半导体模块
- 家庭:FET
- 系列:-
- FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET 特点:标准型
- 漏极至源极电压(Vdss):1000V(1kV)
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:30A
- 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:450 毫欧 @ 500mA,20V
- Id 时的 Vgs(th)(最大):5V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs:545nC @ 20V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds:13700pF @ 25V
- 功率 - 最大:800W
- 安装类型:底座安装
- 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC
- 供应商设备封装:SOT-227B
- 包装:散装
- 其它名称:Q3424174
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