更新日期:2024-04-01
IXKN45N80C 供应商
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IXYS/艾赛斯
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全新原装
23+ -
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苏州
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仓库现货
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IXYS/艾赛斯
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全新原装
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上海市
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仓库现货
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IXYS/艾赛斯
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全新原装
23+ -
5000
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上海市
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IXYS/艾赛斯
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全新原装
23+ -
5000
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苏州
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艾赛斯
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全新原装
23+ -
999
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上海市
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现货
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IXYS
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标准封装
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上海市
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原厂授权一级代理 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断器质
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IXYS
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EA
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上海市
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TRAY
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上海市
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可提供产品实图拍摄 全新原包
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艾赛斯IXYS
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Tray
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1698
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上海市
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只做全新原装,原厂渠道现货
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IXYS/艾赛斯
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MODULE
23+ -
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宣城
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IXKN45N80C 中文资料属性参数
- 标准包装:10
- 类别:半导体模块
- 家庭:FET
- 系列:CoolMOS™
- FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET 特点:标准型
- 漏极至源极电压(Vdss):800V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:44A
- 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:74 毫欧 @ 44A,10V
- Id 时的 Vgs(th)(最大):3.9V @ 4mA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs:360nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds:-
- 功率 - 最大:-
- 安装类型:底座安装
- 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC
- 供应商设备封装:SOT-227B
- 包装:管件
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