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IXGM30N60
单 IGBT更新日期：2024-04-01 00:04:00
IXGM30N60
单 IGBT产品简介：POWER MOSFET TO-3
IXGM30N60 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货
- 价格：停产
- 系列：-
- 包装：管件
- 产品状态：停产
- IGBT 类型：-
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：600 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：50 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm)：100 A
- 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)（最大值）：2.5V @ 15V，30A
- 功率 - 最大值：200 W
- 开关能量：-
- 输入类型：标准
- 栅极电荷：180 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值：100ns/500ns
- 测试条件：-
- 反向恢复时间 (trr)：200 ns
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-204AE
- 供应商器件封装：TO-204AE
IXGM30N60 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 IXGM30N60
|
Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT |
2 Pages页,65K | 查看 |
|
IXGM30N60A
|
Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT |
2 Pages页,65K | 查看 |
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