更新日期:2024-04-01
IXFN280N085 供应商
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IXYS/艾赛斯
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全新原装
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苏州
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仓库现货
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IXYS/艾赛斯
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全新原装
23+ -
5000
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上海市
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仓库现货
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IXYS/艾赛斯
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全新原装
23+ -
5000
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上海市
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仓库现货
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IXYS/艾赛斯
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全新原装
23+ -
5000
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苏州
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仓库现货
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艾赛斯
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全新原装
23+ -
999
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上海市
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现货
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isc/固电半导体
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SOT-227
2024+ -
1000
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无锡
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国产品牌isc,33年国产工厂
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IXYS
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SOT-227B
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500
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上海市
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N/A
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IGBT
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325
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苏州
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IXYS
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模块
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上海市
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中国区代理原装现货热卖特价
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艾赛斯
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标准封装
22+ -
5000
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上海市
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上海现货,实单可谈
IXFN280N085 中文资料属性参数
- 标准包装:10
- 类别:半导体模块
- 家庭:FET
- 系列:HiPerFET™
- FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET 特点:标准型
- 漏极至源极电压(Vdss):85V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:280A
- 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:4.4 毫欧 @ 100A,10V
- Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 8mA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs:580nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds:19000pF @ 25V
- 功率 - 最大:700W
- 安装类型:底座安装
- 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC
- 供应商设备封装:SOT-227B
- 包装:管件
IXFN280N085 数据手册
数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
---|---|---|---|
![]() |
MOSFET N-CH 85V 280A SOT-227B |
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