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IKD04N60RAATMA1
单 IGBT更新日期：2024-04-01 00:04:00
IKD04N60RAATMA1
单 IGBT产品简介：IGBT TRENCH 600V 8A TO252-3
IKD04N60RAATMA1 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
-
Infineon
-
TO-252-3, DPak
21+ -
1681
-
上海市
-
-
-
一级代理原装
-
InfineonTechnologies
-
PG-TO252-3
18+ -
500
-
上海市
-
-
-
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险
-
Infineon Technologies
-
TO-252-3，DPak2 引线 + 接片，SC-63
23+ -
4000
-
上海市
-
-
IKD04N60RAATMA1 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货
- 价格：停产
- 系列：TrenchStop?
- 包装：卷带（TR）
- 产品状态：停产
- IGBT 类型：沟道
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：600 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：8 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm)：12 A
- 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，4A
- 功率 - 最大值：75 W
- 开关能量：90μJ（开），150μJ（关）
- 输入类型：标准
- 栅极电荷：27 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值：14ns/146ns
- 测试条件：400V，4A，43 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr)：43 ns
- 工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
- 供应商器件封装：PG-TO252-3
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