IGB50N65S5ATMA1
单 IGBT更新日期:2024-04-01
IGB50N65S5ATMA1
单 IGBT产品简介:IGBT TRENCH/FS 650V 80A TO263-3
IGB50N65S5ATMA1 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
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InfineonTechnologies
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PG-TO263-3
18+ -
1111
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上海市
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只做原装正品假一赔十为客户做到零风险
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Infineon Technologies
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TO-263-3,D2Pak2 引线 + 接片,TO-263AB
23+ -
4000
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上海市
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IGB50N65S5ATMA1 中文资料属性参数
- 现有数量:996现货
- 价格:1 : ¥31.08000剪切带(CT)1,000 : ¥19.92389卷带(TR)
- 系列:TrenchStop? 5
- 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态:在售
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿(最大值):650 V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200 A
- 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)(最大值):1.7V @ 15V,50A
- 功率 - 最大值:270 W
- 开关能量:1.23mJ(开),740μJ(关)
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:120 nC
- 25°C 时 Td(开/关)值:20ns/139ns
- 测试条件:400V,50A,8.2 欧姆,15V
- 反向恢复时间 (trr):-
- 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ)
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
- 供应商器件封装:PG-TO263-3
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