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IFS100B12N3E4B31BOSA1
IGBT 模块更新日期：2024-04-01
IFS100B12N3E4B31BOSA1
IGBT 模块产品简介：IGBT MOD 1200V 200A 515W
IFS100B12N3E4B31BOSA1 供应商
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InfineonTechnologies
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模块
18+ -
500
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上海市
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IFS100B12N3E4B31BOSA1 中文资料属性参数
- 现有数量：7现货
- 价格：1 : ￥2,083.91000托盘
- 系列：MIPAQ?
- 包装：托盘
- 产品状态：在售
- IGBT 类型：沟槽型场截止
- 配置：全桥
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：1200 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：200 A
- 功率 - 最大值：515 W
- 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，100A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：1 mA
- 不同?Vce 时输入电容 (Cies)：6.3 nF @ 25 V
- 输入：标准
- NTC 热敏电阻：是
- 工作温度：-40°C ~ 150°C
- 安装类型：底座安装
- 封装/外壳：模块
- 供应商器件封装：模块
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