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GPA030A135MN-FDR
单 IGBT更新日期：2024-04-01 00:04:00
GPA030A135MN-FDR
单 IGBT产品简介：IGBT 1350V 60A 329W TO3PN
GPA030A135MN-FDR 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
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- 说明
- 询价
-
SemiQ
-
TO-3
23+ -
4000
-
上海市
-
-
GPA030A135MN-FDR 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货
- 价格：停产
- 系列：-
- 包装：管件
- 产品状态：停产
- IGBT 类型：沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：1350 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：60 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm)：90 A
- 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)（最大值）：2.4V @ 15V，30A
- 功率 - 最大值：329 W
- 开关能量：4.4mJ（开），1.18mJ（关）
- 输入类型：标准
- 栅极电荷：300 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值：30ns/145ns
- 测试条件：600V，30A，5 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr)：450 ns
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-3P-3，SC-65-3
- 供应商器件封装：TO-3PN
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