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FGD3N60LSDTM-T
单 IGBT更新日期：2024-04-01 00:04:00
FGD3N60LSDTM-T
单 IGBT产品简介：INTEGRATED CIRCUIT
FGD3N60LSDTM-T 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货
- 价格：停产
- 系列：-
- 包装：散装
- 产品状态：停产
- IGBT 类型：-
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：600 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：6 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm)：25 A
- 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)（最大值）：1.5V @ 10V，3A
- 功率 - 最大值：40 W
- 开关能量：250μJ（开），1mJ（关）
- 输入类型：标准
- 栅极电荷：12.5 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值：40ns/600ns
- 测试条件：480V，3A，470 欧姆，10V
- 反向恢复时间 (trr)：234 ns
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
- 供应商器件封装：TO-252AA
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