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FAM65HR51DS2

IGBT 模块

更新日期：2024-04-01 00:04:00

FAM65HR51DS2

IGBT 模块

产品简介：IGBT MODULE 650V 33A 135W

FAM65HR51DS2 供应商

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FAM65HR51DS2 中文资料属性参数

  • 现有数量：0现货
  • 价格：在售
  • 系列：-
  • 包装：管件
  • 产品状态：在售
  • IGBT 类型：-
  • 配置：半桥逆变器
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）：650 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：33 A
  • 功率 - 最大值：135 W
  • 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)（最大值）：-
  • 电流 - 集电极截止（最大值）：-
  • 不同?Vce 时输入电容 (Cies)：4.86 nF @ 400 V
  • 输入：标准
  • NTC 热敏电阻：无
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 封装/外壳：-
  • 供应商器件封装：-

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