CP10TD1-24A
IGBT- 封装:DIP
- RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
更新日期:2024-04-01

CP10TD1-24A 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
-
MITSUBISHI
-
标准封装
24+ -
8800
-
苏州
-
-
-
原厂授权代理商主营IGBT模块 可控硅模块 二极管 晶
-
MIT代理
-
模块原厂包装
23+ -
15000
-
上海市
-
-
-
中国区代理原装现货热卖特价
-
MITSUBISHI
-
标准封装
21+ -
5000
-
上海市
-
-
-
原厂授权一级代理 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断器质
-
MITSUBISHI
-
EA
21+ -
1200
-
上海市
-
-
-
厂家授权代理商.IGBT模块.可控硅模块,二极管,整流
-
MITSUBISH
-
MODULE
23+ -
1446
-
宣城
-
-
-
全新原装现货原盒原标实拍欢迎询价
-
MITSUBISHI
-
标准封装
22+ -
6055
-
上海市
-
-
-
专业全新原装进口正品 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断
-
MITSUBISHI
-
标准封装
22+ -
8888
-
上海市
-
-
-
全新原装进口正品IGBT模块 功率模块现货直销质保一
CP10TD1-24A 中文资料属性参数
- 标准包装:7
- 类别:半导体模块
- 家庭:IGBT
- 系列:-
- IGBT 类型:-
- 配置:三相反相器,带制动器
- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V
- Vge, Ic时的最大Vce(开):2.5V @ 15V,10A
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大):10A
- 电流 - 集电极截止(最大):1mA
- Vce 时的输入电容 (Cies):2.04nF @ 25V
- 功率 - 最大:96W
- 输入:三相桥式整流器
- NTC 热敏电阻:是
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:DIP
- 供应商设备封装:-
- 配用:BG2B-5015-ND - KIT DEV BOARD 2CN 5A FOR IGBTBG2B-3015-ND - KIT DEV BOARD 2CN 3A FOR IGBTBG2B-1515-ND - KIT DEV BOARD 1.5A FOR IGBTBG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT
CP10TD1-24A 相关产品
- APT100GF60JU2
- APT100GF60JU3
- APT100GT120JRDQ4
- APT150GN120J
- APT150GN120JDQ4
- APT150GN60J
- APT150GT120JR
- APT200GN60JDQ4
- APT30GF60JU2
- APT35GT120JU2
- APT40GP90J
- APT45GP120J
- APT45GP120JDQ2
- APT50GT120JU2
- APT60GF60JU2
- APT75GN120J
- APT75GT120JRDQ3
- APTCV60HM45BC20T3G
- APTCV60HM45BT3G
- APTCV60HM45RCT3G
- APTCV60HM45RT3G
- APTGF100A1202G
- APTGF100A120T3WG
- APTGF150A120T3AG
- APTGF150A120T3WG
- APTGF50DDA120T3G
- APTGF50VDA120T3G
- APTGF90H60T3G
- APTGFQ25H120T2G
- APTGL180A1202G