STN1HNK60STMicroelectronics
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- 其它有关文件 :STN1HNK60 View All Specifications
- 标准包装 :1
- 类别 :分离式半导体产品
- 家庭 :FET - 单
- 系列 :SuperMESH™
- FET 型 :MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 特点 :逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss) :600V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C :400mA
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C :8.5 欧姆 @ 500mA，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大） :3.7V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs :10nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds :156pF @ 25V
- 功率 - 最大 :3.3W
- 安装类型 :表面贴装
- 封装/外壳 :TO-261-4，TO-261AA
- 供应商设备封装 :SOT-223
- 包装 :Digi-Reel?
- 其它名称 :497-4668-6
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