SI8902EDB-T2-E1
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- 数据列表 :SI8902EDB
- 标准包装 :3,000
- 类别 :分离式半导体产品
- 家庭 :FET - 阵列
- 系列 :TrenchFET®
- FET 型 :2 个 N 沟道（双）
- FET 特点 :逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss) :20V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C :3.9A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C :45 毫欧 @ 1A，4.5V
- Id 时的 Vgs(th)（最大） :1V @ 980µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs :-
- 输入电容 (Ciss) @ Vds :-
- 功率 - 最大 :1W
- 安装类型 :表面贴装
- 封装/外壳 :6-MICRO FOOT?CSP
- 供应商设备封装 :6-Micro Foot?
- 包装 :带卷 (TR)
- 其它名称 :SI8902EDB-T2-E1TR
更多产品属性
综合指数
月搜索指数
| 序号 | 日期 | 搜索量 | 搜索量变化 | 搜索量变化幅度 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 2025-09-01-2025-09-30 | 1037 |
0
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5.17%
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| 2 | 2025-08-01-2025-08-31 | 986 |
-28
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-2.76%
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| 3 | 2025-07-01-2025-07-31 | 1014 |
82
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8.80%
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| 4 | 2025-06-01-2025-06-30 | 932 |
0
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4.48%
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| 5 | 2025-05-01-2025-05-31 | 892 |
0
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20.05%
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| 6 | 2025-04-01-2025-04-30 | 743 |
0
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28.99%
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| 7 | 2025-03-01-2025-03-31 | 576 |
0
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3.60%
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| 8 | 2025-02-01-2025-02-28 | 556 |
0
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11.20%
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| 9 | 2025-01-01-2025-01-31 | 500 |
0
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-21.38%
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| 10 | 2024-12-01-2024-12-31 | 636 |
0
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24.71%
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| 11 | 2024-11-01-2024-11-30 | 510 |
0
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6.25%
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| 12 | 2024-10-01-2024-10-31 | 480 |
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