SI7178DP-T1-GE3
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参考价格:0.0000搜索次数:0现货供应商:1 家现货库存总量:6000
- 标准包装 :3,000
- 类别 :分离式半导体产品
- 家庭 :FET - 单
- 系列 :-
- FET 型 :MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 特点 :标准型
- 漏极至源极电压(Vdss) :100V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C :60A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C :14 毫欧 @ 10A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大） :4.5V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs :72nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds :2870pF @ 50V
- 功率 - 最大 :104W
- 安装类型 :表面贴装
- 封装/外壳 :PowerPAK? SO-8
- 供应商设备封装 :PowerPAK? SO-8
- 包装 :带卷 (TR)
- 其它名称 :SI7178DP-T1-GE3TR
更多产品属性
综合指数
月搜索指数
| 序号 | 日期 | 搜索量 | 搜索量变化 | 搜索量变化幅度 |
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| 1 | 2025-09-01-2025-09-30 | 1 |
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| 2 | 2025-07-01-2025-07-31 | 2 |
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| 3 | 2025-06-01-2025-06-30 | 4 |
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| 4 | 2025-05-01-2025-05-31 | 1 |
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| 5 | 2025-04-01-2025-04-30 | 2 |
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| 6 | 2025-03-01-2025-03-31 | 4 |
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| 7 | 2025-02-01-2025-02-28 | 3 |
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| 8 | 2025-01-01-2025-01-31 | 2 |
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| 9 | 2024-12-01-2024-12-31 | 1 |
0
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| 10 | 2024-11-01-2024-11-30 | 2 |
0
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| 11 | 2024-10-01-2024-10-31 | 2 |
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| 12 | 2024-09-01-2024-09-30 | 5 |
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