SI4888DY-T1-E3
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参考价格:0.0000搜索次数:0现货供应商:1 家现货库存总量:17
- 标准包装 :2,500
- 类别 :分离式半导体产品
- 家庭 :FET - 单
- 系列 :TrenchFET®
- FET 型 :MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 特点 :逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss) :30V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C :11A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C :7 毫欧 @ 16A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大） :1.6V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs :24nC @ 5V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds :-
- 功率 - 最大 :1.6W
- 安装类型 :表面贴装
- 封装/外壳 :8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装 :8-SOICN
- 包装 :带卷 (TR)
更多产品属性
综合指数
月搜索指数
| 序号 | 日期 | 搜索量 | 搜索量变化 | 搜索量变化幅度 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 2025-11-01-2025-11-30 | 4 |
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| 2 | 2025-10-01-2025-10-31 | 2 |
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| 3 | 2025-07-01-2025-07-31 | 1 |
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| 4 | 2025-05-01-2025-05-31 | 1 |
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| 5 | 2025-01-01-2025-01-31 | 1 |
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| 6 | 2024-09-01-2024-09-30 | 1 |
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| 7 | 2023-11-01-2023-11-30 | 1 |
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| 8 | 2023-02-01-2023-02-28 | 1 |
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