SI4124DY-T1-E3
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- 标准包装 :2,500
- 类别 :分离式半导体产品
- 家庭 :FET - 单
- 系列 :TrenchFET®
- FET 型 :MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 特点 :标准型
- 漏极至源极电压(Vdss) :40V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C :20.5A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C :7.5 毫欧 @ 14A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大） :3V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs :77nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds :3540pF @ 20V
- 功率 - 最大 :5.7W
- 安装类型 :表面贴装
- 封装/外壳 :8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装 :8-SOICN
- 包装 :带卷 (TR)
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| 供应商 | 产品型号 | 品牌 | 库存数量 | 批号 | 封装 | 说明 | 询价 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SI4124DY-T1-E3 | VISHAY | 10000 | 22+ | SOIC-8 | 原厂渠道，现货，支持实单 |