PHC21025
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- 典型栅极电荷@Vgs :10 nC V @ 10
- 典型输入电容值@Vds :250 pF V @ 20
- 安装类型 :表面贴装
- 宽度 :4mm
- 封装类型 :SO
- 尺寸 :5 x 4 x 1.45mm
- 引脚数目 :8
- 最低工作温度 :-65 °C
- 最大功率耗散 :2000 mW
- 最大栅源电压 :20 V
- 最大漏源电压 :30 V
- 最大漏源电阻值 :0.1（N 通道）Ω，0.25（P 通道）Ω
- 最大连续漏极电流 :2.3（P 通道）A，3.5（N 通道）A
- 最高工作温度 :+150 °C
- 每片芯片元件数目 :2
- 类别 :功率 MOSFET
- 通道模式 :增强
- 通道类型 :N，P
- 配置 :双、双漏极
- 长度 :5mm
- 高度 :1.45mm
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